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等離子增強(qiáng)型原子層沉積設(shè)備(ALD)- TFS200

簡要描述:Beneq TFS 200 專為學(xué)術(shù)和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計,是一款用途廣泛的原子層沉積 (ALD) 平臺,可在真正的 ALD 模式下提供卓越的薄膜質(zhì)量。

  • 更新時間:2025/11/8 8:47:18
  • 訪  問  量:318
  • 產(chǎn)品型號:TFS200
詳細(xì)介紹

Beneq TFS 200 專為學(xué)術(shù)和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計,是一款用途廣泛的原子層沉積 (ALD) 平臺,可在真正的 ALD 模式下提供卓越的薄膜質(zhì)量。

該系統(tǒng)的模塊化架構(gòu)允許進(jìn)行廣泛的升級,確保它可以隨著您的研究需求而發(fā)展,無論多么復(fù)雜。 Beneq TFS 200 支持在各種基板上沉積,包括晶圓、平面物體、多孔材料和具有高深寬比 (HAR) 功能的復(fù)雜 3D 結(jié)構(gòu),即使在最苛刻的應(yīng)用中也能實(shí)現(xiàn)精確鍍膜。

 

先進(jìn)的 PEALD 功能

Beneq TFS 200 標(biāo)配直接和遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)原子層沉積 (PEALD)。利用電容耦合等離子體 (CCP) 源(行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)),它有助于從研發(fā)到生產(chǎn)環(huán)境的平穩(wěn)過渡。該系統(tǒng)支持在最大 200 mm 的基板上進(jìn)行 PEALD 工藝。

 

針對效率和精度進(jìn)行了優(yōu)化

•    純 ALD 模式經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)快速、精確的薄膜生長 

•    HAR 功能適用于具有挑戰(zhàn)性的結(jié)構(gòu),例如通孔和多孔襯底 

•    冷壁真空室內(nèi)的熱壁反應(yīng)室,可實(shí)現(xiàn)均勻的熱量分布和快速的腔室更換 

•    全面的升級選項(xiàng),滿足高級研究需求 

•    裝載鎖、盒式裝載機(jī)和手套箱,用于在受控氣氛下快速傳輸基板

 

技術(shù)信息:

 

產(chǎn)品

TFS 200型

TFS 500型

   寸: 

1325毫米 x 600毫米 x 1298毫米(L*W*H

1800毫米 x 900毫米 x 2033毫米(L*W*H

   法:

研究、生產(chǎn)

研究、生產(chǎn)

   成:

裝載鎖、盒式裝載機(jī)、集群或手套箱

裝載鎖、盒式裝載機(jī)、集群或手套箱

溫度范圍:

25-500 °C

25 – 500 °C

極低蒸氣

壓前驅(qū)體:

是的

是的

ALD 模式:

熱原子層沉積、低流 HAR、流化床、遠(yuǎn)程等離子體 ALD、直接等離子體原子層沉積

ALD、遠(yuǎn)程等離子體 ALD、直接等離子體 ALD

 

示例應(yīng)用:

•    用于阻擋應(yīng)用的 Al2 O3 ALD

•    半導(dǎo)體應(yīng)用中的 HfO2、SiO2 和 SiN ALD

•    用于光伏電池的 SnO2 ALD

•    用于超導(dǎo)體應(yīng)用的 TiN 和 NbN ALD模塊

 


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